[发明专利]实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法及系统在审
| 申请号： | 202210836042.3 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115165944A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 安大勇;陈军;李细锋;吴会平 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01N23/2206 | 分类号： | G01N23/2206;G01N23/203 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨宏泰 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法，该方法包含以下步骤：利用EBSD收集目标晶粒取向信息；基于EBSD取向信息在模拟电子通道花样ECP中标定目标晶粒ECCI的衍射条件；对比模拟电子通道花样ECP标定衍射条件所对应的通道衬度和目标晶粒真实通道衬度；基于真实通道衬度矫正ECP中所标定的衍射条件；追踪并判断晶粒通道衬度的变化与模拟电子通道花样ECP预测是否一致；基于矫正后的衍射条件在模拟电子通道花样ECP软件辅助下倾转或/和旋转样品台使目标晶粒达到双束衍射条件，实现可控衍射条件下的ECCI表征。与现有技术相比，本发明具有克服多个晶粒晶体取向测量及衍射条件标定的系统误差以及实现可控衍射条件下的高通量ECCI表征等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 精准 控制 衍射 条件下 电子 通道 成像 方法 系统 | ||
【主权项】：
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