[发明专利]实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法及系统

权利要求书

1.一种实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤1：通过电子背散射衍射EBSD收集目标晶粒取向信息；

步骤2：将样品倾转到水平位置，对目标晶粒进行电子通道衬度成像ECCI表征；

步骤3：在模拟电子通道花样ECP中标定目标晶粒的衍射条件；

步骤4：对比在模拟电子通道花样ECP中标定的衍射条件所对应的通道衬度与目标晶粒真实通道衬度是否一致，若是，则执行步骤7，若否则执行步骤5；

步骤5：基于晶粒的真实通道衬度矫正模拟电子通道花样ECP中标定的衍射条件；

步骤6：判断矫正后的衍射条件所对应的通道称度与目标晶粒的真实通道衬度是否一致，若是，则执行步骤7，若否，返回步骤5；

步骤7：追踪并判断随样品台倾转过程中目标晶粒的通道衬度的变化与模拟电子通道花样ECP预测是否一致，若是，则模拟电子通道花样ECP中标定的衍射条件矫正完成，若否，则扩大搜索范围，并返回步骤5；

步骤8：基于步骤7验证后的模拟电子通道花样ECP所标定的衍射条件，倾转或/和旋转样品台使目标晶粒达到双束衍射条件，以实现可控衍射条件下的ECCI表征。

2.根据权利要求1所述的一种实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法，其特征在于，所述的步骤1中，利用电子背散射衍射EBSD收集目标晶粒取向信息的过程具体包括以下步骤：

选取目标晶粒，将样品倾斜至大倾斜角度，利用电子背散射衍射对目标晶粒进行EBSD数据的收集，即收集目标晶粒取向信息。

3.根据权利要求2所述的一种实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法，其特征在于，所述的大倾斜角度为70°。

4.根据权利要求1所述的一种实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法，其特征在于，所述的步骤3中，在模拟电子通道花样ECP中标定目标晶粒的衍射条件的过程具体包括以下步骤：

基于入射电子束与理想晶格取向关系利用模拟软件模拟出不同衍射条件下的电子通道花样ECP，即获取模拟电子通道花样ECP，其中，模拟电子通道花样ECP的背底颜色即为目标晶粒的衍射条件在所处位置对应的通道衬度，结合目标晶粒取向信息，在模拟电子通道花样ECP中标定目标晶粒的衍射条件。

5.根据权利要求4所述的一种实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法，其特征在于，所述的模拟软件为TOCA或EMsoft。

6.根据权利要求1所述的一种实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法，其特征在于，所述的步骤5中，基于晶粒的真实通道衬度矫正模拟电子通道花样ECP中标定的衍射条件的过程具体为：

以模拟电子通道花样ECP标定的衍射条件所在位置为圆心，以设定角度为半径作圆，且以实现ECCI衍射条件控制所需的精度为间隔将圆分割成多个网格，网格之间包括多个网格点，即候选点，则仅需验证候选点是否为目标晶粒的真实衍射条件，将样品旋转并记录目标晶粒在旋转过程中的通道衬度变化，同时根据模拟电子通道花样ECP列出每个候选点处预测的通道衬度变化，通过对比旋转样品台所观察到的通道衬度变化与候选点在模拟电子通道花样ECP中所预测的通道衬度变化，得到通道衬度变化相符合的候选点，即为真实衍射条件，从而完成对目标晶粒衍射条件的矫正。

7.根据权利要求1所述的一种实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法，其特征在于，所述的步骤8中，倾转或/和旋转样品台使目标晶粒达到双束衍射条件的过程具体为：

ECCI双束衍射条件具体为只有一个晶面精确满足布拉格条件，在模拟软件中，当改变样品台倾转或旋转角度时，模拟电子通道花样ECP中所标定的衍射条件随之改变，进而通过模拟软件计算达到目标晶粒的双束衍射条件所需的样品倾转或旋转参数，从而实现可控衍射条件下的ECCI表征。

8.一种实现如权利要求1～7任一项所述实现精准控制衍射条件下电子通道衬度成像方法的系统，其特征在于，该系统包括存储器和处理器。