[发明专利]用于蚀刻工艺的补偿方法、补偿系统及深度学习系统在审
| 申请号: | 202210835651.7 | 申请日: | 2022-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN116469789A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
| 发明(设计)人: | 邹嘉骏;徐敏堂;王怡桦;李伟圣 | 申请(专利权)人: | 由田新技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/027;H05K3/00;G06T7/00;G06V10/82;G06N3/084 |
| 代理公司: | 北京维澳知识产权代理有限公司 11252 | 代理人: | 隋勤 |
| 地址: | 中国台湾新北市中*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明提出一种用于蚀刻工艺的补偿方法、补偿系统及深度学习系统,该补偿方法包括:拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像;根据该蚀刻影像量测该工件,以获得该工件的一线路量测信息;根据该线路量测信息,计算一蚀刻补偿信息;依据该蚀刻补偿信息产生欲成像的一曝光影像;以及传送欲成像的该曝光影像至一曝光装置,以更新该蚀刻工艺的曝光底片。本发明可以进行全部及全面性的量测,以此通过全自动快速补偿值设定以及全自动生产中间监控以及实时回馈调整的功能,达到快速进入量产、快速达到最佳补偿值设定、智能生产中监控以及提升及稳定质量的效果。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 蚀刻 工艺 补偿 方法 系统 深度 学习 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





