[发明专利]用于蚀刻工艺的补偿方法、补偿系统及深度学习系统在审
| 申请号: | 202210835651.7 | 申请日: | 2022-07-15 | 
| 公开(公告)号: | CN116469789A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 | 
| 发明(设计)人: | 邹嘉骏;徐敏堂;王怡桦;李伟圣 | 申请(专利权)人: | 由田新技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/027;H05K3/00;G06T7/00;G06V10/82;G06N3/084 | 
| 代理公司: | 北京维澳知识产权代理有限公司 11252 | 代理人: | 隋勤 | 
| 地址: | 中国台湾新北市中*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 蚀刻 工艺 补偿 方法 系统 深度 学习 | ||
1.一种用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,包括:
拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像;
根据该蚀刻影像量测该工件,以获得该工件的一线路量测信息;
根据该线路量测信息,计算一蚀刻补偿信息;
依据该蚀刻补偿信息产生欲成像的一曝光影像;以及
传送欲成像的该曝光影像至一曝光装置,以更新该蚀刻工艺的曝光底片。
2.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,还包含:根据该蚀刻影像,瑕疵检测该工件,以获得该工件的一瑕疵检测信息。
3.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,该曝光装置包括数字直接成像曝光机、镭射直接成像装置、内层曝光机、外层曝光机、防焊曝光机、平行光曝光机或非平行光曝光机。
4.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,该工件包括印刷电路板、电路软性电路板、陶瓷基板、集成电路晶圆或集成电路芯片。
5.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,根据该蚀刻影像,量测该工件的步骤包括:根据该蚀刻影像,全板面量测该工件,以获得该工件的该线路量测信息。
6.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,根据该线路量测信息,计算该蚀刻补偿信息的步骤包括:根据该线路量测信息与一默认信息之间的差距,计算该蚀刻补偿信息。
7.如权利要求1所述的用于蚀刻工艺的补偿方法,其特征在于,该线路量测信息包括线宽、线距、线路方向、线路厚度、线路体积或线路类型。
8.一种用于蚀刻工艺的补偿系统,其特征在于,包括:
一量测装置,拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像,并分析该蚀刻影像,产生该工件的一线路量测信息;
一补偿装置,耦合至该量测装置,根据该线路量测信息计算一蚀刻补偿信息;以及
一影像生成装置,耦合至该补偿装置,根据该蚀刻补偿信息产生欲成像的一曝光影像,并提供至一曝光装置,以更新该蚀刻工艺的曝光底片。
9.如权利要求8所述的用于蚀刻工艺的补偿系统,其特征在于,还进一步包括一影像检测装置,根据该蚀刻影像,瑕疵检测该工件,以获得该工件的一瑕疵检测信息。
10.如权利要求8所述的用于蚀刻工艺的补偿系统,其特征在于,该曝光装置包括数字直接成像曝光机、镭射直接成像装置、内层曝光机、外层曝光机、防焊曝光机、平行光曝光机或非平行光曝光机。
11.如权利要求8所述的用于蚀刻工艺的补偿系统,其特征在于,该工件包括印刷电路板、电路软性电路板、陶瓷基板、集成电路晶圆或集成电路芯片。
12.如权利要求8所述的用于蚀刻工艺的补偿系统,其特征在于,该量测装置根据该蚀刻影像,全板面量测该工件,以获得该工件的该线路量测信息。
13.如权利要求8所述的用于蚀刻工艺的补偿系统,其特征在于,该补偿装置根据该线路量测信息与一默认信息之间的差距,计算该蚀刻补偿信息。
14.如权利要求8所述的用于蚀刻工艺的补偿系统,其特征在于,该线路量测信息包括线宽、线距、线路方向、线路厚度、线路体积或线路类型。
15.一种深度学习系统,用于配合如权利要求8~14所述的补偿系统设置,其特征在于,包括:
一数据储存装置,连接至该影像生成装置,由该影像生成装置接收该蚀刻影像以及该曝光影像以建立样本数据库;以及
一处理装置,连接至该数据储存装置以存取该样本数据库,其中该处理装置包括一深度类神经网络,利用该样本数据库所储存的该蚀刻影像以及该曝光影像训练该深度类神经网络。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





