[发明专利]用于蚀刻工艺的补偿方法、补偿系统及深度学习系统在审
| 申请号: | 202210835651.7 | 申请日: | 2022-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN116469789A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
| 发明(设计)人: | 邹嘉骏;徐敏堂;王怡桦;李伟圣 | 申请(专利权)人: | 由田新技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/027;H05K3/00;G06T7/00;G06V10/82;G06N3/084 |
| 代理公司: | 北京维澳知识产权代理有限公司 11252 | 代理人: | 隋勤 |
| 地址: | 中国台湾新北市中*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 蚀刻 工艺 补偿 方法 系统 深度 学习 | ||
本发明提出一种用于蚀刻工艺的补偿方法、补偿系统及深度学习系统,该补偿方法包括:拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像;根据该蚀刻影像量测该工件,以获得该工件的一线路量测信息;根据该线路量测信息,计算一蚀刻补偿信息;依据该蚀刻补偿信息产生欲成像的一曝光影像;以及传送欲成像的该曝光影像至一曝光装置,以更新该蚀刻工艺的曝光底片。本发明可以进行全部及全面性的量测,以此通过全自动快速补偿值设定以及全自动生产中间监控以及实时回馈调整的功能,达到快速进入量产、快速达到最佳补偿值设定、智能生产中监控以及提升及稳定质量的效果。
技术领域
本发明有关于一种补偿方法及补偿系统及深度学习系统,尤指一种用于蚀刻工艺的补偿方法及补偿系统及深度学习系统。
背景技术
在现代工艺中,随着电子产品逐渐小型化、集成化,电路讯号的频率随之日益提高,电路板线路及集成电路的线路也随之日趋细线化。由于线路越来越细,线路的截面积一致性对电阻、阻抗等电路特性的影像就越来越关键,些微的变动都会导致最终电器表现不如预期。
由于线路蚀刻的过程中,原始设计的线路布局密度,线路形状等因素,会造成蚀刻液的流动与接触状况有所不同,也造成不同的蚀刻速率,因此制作底片(或LDI程序时),须纳入上述考虑,针对不同特性的区域线路,制作合适的形状或宽窄调整。
传统上,生产人员依据经验作线路蚀刻的初始设定,并经由实际量测蚀刻结果进行参数调整。传统作法受限于量测效率以及生产压力,导致量测的位置不够充足,以及参数验证不够完善,导致线路生产质量不如预期。
发明内容
本发明的主要目的,在于提供一种用于蚀刻工艺的补偿方法,包括:拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像;根据该蚀刻影像量测该工件,以获得该工件的一线路量测信息;根据该线路量测信息,计算一蚀刻补偿信息;依据该蚀刻补偿信息产生欲成像的一曝光影像;以及传送欲成像的该曝光影像至一曝光装置,以更新该蚀刻工艺的曝光底片。
本发明的另一目的,在于提供一种用于蚀刻工艺的补偿系统,包括量测装置、补偿装置以及影像生成装置。该量测装置拍摄经一蚀刻工艺的一工件,以获得一蚀刻影像,并分析该蚀刻影像,产生该工件的一线路量测信息。该补偿装置耦合至该量测装置,根据该线路量测信息计算一蚀刻补偿信息。该影像生成装置耦合至该补偿装置,根据该蚀刻补偿信息产生欲成像的一曝光影像,并提供至一曝光装置,以更新该蚀刻工艺的曝光底片。
本发明的另一目的,在于提供一种深度学习系统,用于配合如上所述的用于蚀刻工艺的补偿系统设置,该深度学习系统包括数据储存装置以及处理装置。该数据储存装置连接至该影像生成装置,由该影像生成装置接收该蚀刻影像以及该曝光影像以建立样本数据库。该处理装置连接至该数据储存装置以存取该样本数据库,其中该处理装置包括一深度类神经网络,利用该样本数据库所储存的该蚀刻影像以及该曝光影像训练该深度类神经网络。
因此,本发明可以进行全部及全面性的量测,以此通过全自动快速补偿值设定以及全自动生产中间监控以及实时回馈调整的功能,达到快速进入量产、快速达到最佳补偿值设定、智能生产中监控以及提升及稳定质量的效果。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1为本发明用于蚀刻工艺的补偿系统的方块示意图。
图2为本发明中线路剖面示意图。
图3为本发明中线路等角示意图。
图4为本发明深度学习系统与用于蚀刻工艺的补偿系统的组合方块示意图。
图5为本发明中深度学习系统的训练流程示意图。
图6为本发明工件蚀刻工艺线路补偿方法的流程示意图。
附图标记说明:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





