[发明专利]半导体接触结构的形成方法及测试方法在审
| 申请号： | 202210833932.9 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115116947A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 申松梅;赵丹丹;杨琪;王玉尘;汪珊 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体接触结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括导线层以及位于导线层外侧的绝缘介质层，导线层包括导电区域和绝缘区域，绝缘介质层具有相对的第一表面和第二表面；在绝缘介质层中形成第一通孔和第二通孔，第一通孔自第一表面贯穿至导电区域，第二通孔自第一表面贯穿至绝缘区域；在第二通孔的底面和侧壁覆盖反射层；在第一通孔和具有反射层的第二通孔中形成导电连接部。通过在第二通孔中加入反射层，使得在对上述半导体接触结构进行是否存在空隙的测试时，能够根据接收到的检测光线的光波信号的时长判断半导体接触结构中是否存在空隙，从而提高了测试的准确性，提高制程验证的良率以及降低了制程验证的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接触 结构 形成 方法 测试 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
