[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210811216.0 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116779667A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杉山亨;吉冈启;小林仁;小野村正明;矶部康裕;洪洪;关口秀树;大野哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 实施方式提供具有电流感测功能的氮化物半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，被设于第一氮化物半导体层上；漏极电极，具有多个漏极指部；源极电极，具有多个源极指部和与源极指部电连接的开尔文源极部；感测电极，位于漏极指部与开尔文源极部之间；以及栅极电极，位于漏极指部与源极指部之间和漏极指部与感测电极之间。感测电极与开尔文源极部经由基于第二方向上的感测电极与开尔文源极部的间隔的感测电阻而电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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