[发明专利]微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构在审
| 申请号： | 202210796791.8 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN115332207A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐 | 申请（专利权）人： | 伊文萨思粘合技术公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/768;H01L23/522;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 丁君军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构。提供用于在微电子学中在低温和较短退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子学 低温 进行 直接 金属 间键合 结构 | ||
【主权项】：
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