[发明专利]一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法在审
| 申请号： | 202210769785.3 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115274416A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;李苗;朱青;马晓华;刘加志 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/288;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于两步法制作栅脚和栅帽的浮空T型栅的制作方法，包括：选取半导体层；在半导体层上制备具有栅脚区的第一光刻胶层；在第一光刻胶层和栅脚区上制备金属层；在金属层上制备具有栅帽区的第二光刻胶层，栅帽区通过光刻曝光显影出金属层；在栅帽区制备栅帽；去除第二光刻胶层；去除栅帽两侧位于第一光刻胶层上的金属层；去除第一光刻胶层，以制备T型栅结构。本发明采用薄胶，不仅提高了光刻分辨率，而且可以做出尺寸更小的栅脚。尺寸小的栅极可以使器件频率得到大幅度的提升，满足器件在毫米波以上频段的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 步法 制作 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210769785.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高温充气装置及方法
- 下一篇：电动剃须刀
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
