[发明专利]一种制备大尺寸碳化硅晶体的方法在审
| 申请号： | 202210767334.6 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115012028A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张军彦;王晓锋;白枭;李文东;李媛 | 申请（专利权）人： | 山西中电科新能源技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 张敏;崔雪花 |
| 地址： | 030032 山西省太原*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，是一种制备大尺寸碳化硅晶体的方法，步骤包括：采用碳源和硅源在温度为1700‑2500℃、压力为5‑1000Pa下反应2‑30h制备得到碳化硅粉；将碳化硅粉通过真空热压的方式制备得到低密度碳化硅块；将低密度碳化硅块在温度1000~1800℃，等静压压力80~150MPa下制备得到高密度碳化硅块；再将高密度碳化硅块在温度2000~2400℃，等静压压力160~220MPa下制备得到碳化硅晶体；本发明不需要高温升华和气相组分生长，将碳化硅粉直接通过成型、增密、成晶的过程形成大尺寸碳化硅晶体；解决碳化硅单晶生长过程中速度慢、时间长、厚度偏小、得料率和成品率低下的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 尺寸 碳化硅 晶体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西中电科新能源技术有限公司，未经山西中电科新能源技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210767334.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
