[发明专利]一种碳化硅平面栅MOSFET的加工方法及碳化硅平面栅MOSFET器件在审
| 申请号： | 202210753546.9 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN114937601A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴轶淳 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种碳化硅平面栅MOSFET的加工方法及碳化硅平面栅MOSFET器件，包括：S1：对多晶硅区进行热氧化以形成掩膜层；掩膜层沿多晶硅区的侧面延伸至有源区；S2：分别沿掩膜层的内侧形成一对侧墙；S3：沉积形成二氧化硅介质层，随后对二氧化硅介质层进行光刻形成接触孔；接触孔的深度到达有源区，接触孔位于侧墙之间；S4：于器件的上方形成金属层，金属层填充接触孔并连接至有源区。有益效果在于：通过在加工平面栅MOSFET的过程中，在两侧的多晶硅区之间形成侧墙，进而在后续通过光刻形成源极接触孔的过程中，通过侧墙限定了接触孔的位置，避免了因光刻精度不足导致器件一致性差、稳定性降低的问题，提高了接触孔的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 平面 mosfet 加工 方法 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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