[发明专利]功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法在审
| 申请号： | 202210725780.0 | 申请日： | 2022-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN115020487A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;王全;倪侠;张荣;徐玉豹 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058 | 代理人： | 李焕焕 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，涉及半导体器材加工技术领域。包括制备步骤如下：步骤一、提供MOSFET器件：步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min；步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min；步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定。本发明通过在制备功率MOSFET器件时，对MOSFET器件表面进行预处理，并在预处理后用酸溶液进行清洗，最后再将其放置到加热炉内通过网加热炉内填充惰性气体，完成了对功率MOSFET器件表面的退火处理，在增强了MOSFET器件栅氧化层的整体强度时，还对MOSFET器件表面的附着杂质进行了全面的清理，提高了MOSFET器件栅氧化层的内部纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 器件 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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