[发明专利]功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法

说明书

本发明公开了功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，涉及半导体器材加工技术领域。包括制备步骤如下：步骤一、提供MOSFET器件：步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min；步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min；步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定。本发明通过在制备功率MOSFET器件时，对MOSFET器件表面进行预处理，并在预处理后用酸溶液进行清洗，最后再将其放置到加热炉内通过网加热炉内填充惰性气体，完成了对功率MOSFET器件表面的退火处理，在增强了MOSFET器件栅氧化层的整体强度时，还对MOSFET器件表面的附着杂质进行了全面的清理，提高了MOSFET器件栅氧化层的内部纯度。

技术领域

本发明涉及半导体器材加工技术领域，具体为功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法。

背景技术

MOSFET器件在进行生产制造时，为保证安装后集成电路芯片的质量和可靠性，需要在MOSFET器件外表面上镀上栅氧化层。

由于MOSFET器件整个制造过程中可能会受到颗粒、金属、有机分子和静电释放(ESD)的沾污，使得栅氧化层会产生的缺陷，而这些微小的缺陷，会使得MOSFET器件的整体强度下降，进而导致MOS器件阈值漂移，漏电增加，甚至直接发生低压击穿等不可逆的器件损毁，从而影响整个集成电路芯片的质量和可靠性，为此提出一种功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法以解决上述存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，包括制备步骤如下：

步骤一、提供MOSFET器件：

步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min；

步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min；

步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定，最后连同放置装置一同放置到内部填充有惰性气体的加热炉内烘烤处理，其中加热炉的温度在260℃～330℃，烘烤时间为25min～30min，此外填充惰性气体的时间为10min～15min；

步骤五、将MOSFET器件从加热炉内取出，并放置到氮气柜内静置；

步骤六、静置到MOSFET器件外部的稳定到110～130℃时，将MOSFET器件外部从氮气柜内取出。

更进一步地，步骤二中的预处理包括抛光、打磨和喷砂步骤，其中抛光、打磨和喷砂所占总时间比为3:1:2。

更进一步地，步骤三中的酸性溶液为质量分数为18％的盐酸溶液或质量分数为16％的稀硝酸溶液中的一种。

更进一步地，步骤三和步骤四之间需要对MOSFET器件进行二次清洗，二次清洗需要用纯净水，清洗过后需要在通风环境下放置15min～30min。

更进一步地，步骤四中惰性气体为氩气、氦气或氖气中的一种，步骤四在填充过惰性气体后还会向加热炉内填充氢气。

更进一步地，步骤四中的安装装置包括装配组件，装配组件顶端的一端滑动连接有夹持机构，装配组件顶部的另一端固定有驱动机构，驱动机构的输出端带动夹持机构在装配组件的顶部往复移动。

更进一步地，所述装配组件包括装配台，装配台顶部的两端分别固定连接有抬高块，两个抬高块顶部的两侧分别固定连接有开口槽体；