[发明专利]功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法

权利要求书

1.功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：制备步骤如下：

步骤一、提供MOSFET器件：

步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min；

步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min；

步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定，最后连同放置装置一同放置到内部填充有惰性气体的加热炉内烘烤处理，其中加热炉的温度在260℃～330℃，烘烤时间为25min～30min，此外填充惰性气体的时间为10min～15min；

步骤五、将MOSFET器件从加热炉内取出，并放置到氮气柜内静置；

步骤六、静置到MOSFET器件外部的稳定到110～130℃时，将MOSFET器件外部从氮气柜内取出。

2.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤二中的预处理包括抛光、打磨和喷砂步骤，其中抛光、打磨和喷砂所占总时间比为3:1:2。

3.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤三中的酸性溶液为质量分数为18％的盐酸溶液或质量分数为16％的稀硝酸溶液中的一种。

4.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤三和步骤四之间需要对MOSFET器件进行二次清洗，二次清洗需要用纯净水，清洗过后需要在通风环境下放置15min～30min。

5.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤四中惰性气体为氩气、氦气或氖气中的一种，步骤四在填充过惰性气体后还会向加热炉内填充氢气。

6.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤四中的安装装置包括装配组件(1)，装配组件(1)顶端的一端滑动连接有夹持机构(2)，装配组件(1)顶部的另一端固定有驱动机构(3)，驱动机构(3)的输出端带动夹持机构(2)在装配组件(1)的顶部往复移动。

7.根据权利要求6所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：所述装配组件(1)包括装配台(101)，装配台(101)顶部的两端分别固定连接有抬高块(102)，两个抬高块(102)顶部的两侧分别固定连接有开口槽体(103)；

所述夹持机构(2)包括放置块(201)，放置块(201)内部的两端分别滑动连接有抵挡圆柱(203)，抵挡圆柱(203)和所述开口槽体(103)的内部相适配，所述放置块(201)通过抵挡圆柱(203)在开口槽体(103)的内部滑动连接。

8.根据权利要求7所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：所述放置块(201)顶部的一端滑动连接有夹持臂(204)，所述放置块(201)顶部的另一端开设有贯穿孔，贯穿孔的内部固定连接有固定臂(206)，所述放置块(201)顶部的两侧分别开设有连通长孔(202)，两道连通长孔(202)均设置在所述夹持臂(204)和所述固定臂(206)之间。

9.根据权利要求8所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：所述放置块(201)底部的一端固定连接有驱动电机(207)，驱动电机(207)的输出端固定连接有螺纹轴(209)，螺纹轴(209)的一端和所述固定臂(206)底部的一端相铰接，所述螺纹轴(209)的外部螺接有铰接架(208)，铰接架(208)顶部的两侧穿过连通长孔(202)和所述夹持臂(204)底部的两侧相固定。

10.根据权利要求7所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：所述放置块(201)外部的一侧固定连接有连接件(205)，所述驱动机构(3)包括稳定架(301)，稳定架(301)的底部和所述装配台(101)的顶部相固定，所述稳定架(301)顶部的一侧开设有滑动槽(308)，滑动槽(308)的内部铰接有滑动块(309)，所述滑动块(309)的一侧固定连接有竖直的铰接槽体(310)，所述连接件(205)的一端和铰接槽体(310)的内部相铰接；

所述稳定架(301)在滑动槽(308)的内部开设有贯穿长孔(303)，所述稳定架(301)另一侧的两端分别转动连接有驱动齿轮(302)，两个驱动齿轮(302)之间安装有链条(305)，所述稳定架(301)一端的底部固定连接有延展台(306)，延展台(306)的顶部固定有输入电机(307)，输入电机(307)的输出端和其中一个驱动齿轮(302)的外侧相固定；

所述滑动块(309)的一侧固定连接有连接块(304)，连接块(304)的一端穿过贯穿长孔(303)和所述链条(305)的外部相固定。