[发明专利]一种基于PP异质结的结型栅增强型GaN器件在审
| 申请号： | 202210697338.1 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN115172451A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 易波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/45;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种基于PP异质结的结型栅增强型GaN器件，用于解决现有器件存在的栅压摆幅窄、栅极漏电大、工艺要求高、成本高等诸多问题。本发明利用P型宽禁带半导体层耗尽其下方的高浓度二维电子气，获得增强型器件；同时，在P型宽禁带半导体层上设置P型多晶硅层，二者形成的PP异质结能够阻止栅极向P型宽禁带半导体层注入电流，从而获得极低的栅极漏电；并且，该新型结型栅能够避免p‑GaNHEMT的栅极肖特基热电不稳定性、以及MIS结构中介质层和半导体层界面电荷或陷阱对阈值电压可靠性和稳定性的影响；最终，本发明具有栅压摆幅大、栅极漏电低、沟道比导通电阻小、阈值电压一致性高、稳定性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pp 异质结 结型栅 增强 gan 器件 | ||
【主权项】：
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