[发明专利]基于半导体工艺的混合成像芯片及其制备方法

摘要

一种基于半导体工艺的混合成像芯片及其制备方法。该基于半导体工艺的混合成像芯片的衬底具有可见光吸收区，可见光吸收区内的衬底中设置有P型区和第一N型区，电路处理模块集成于衬底上，P型区和第一N型区均与电路处理模块电性导通；感光微桥结构位于衬底远离可见光吸收区的一侧，感光微桥结构与所衬底间隔布置，导电支撑柱设置于衬底和感光微桥结构之间，感光微桥结构包括相互绝缘的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均通过导电支撑柱与电路处理模块电性导通；感光微桥结构的入射面具有光增强区，光增强区内的感光微桥结构的表面凹凸不平。本申请能够提高检测光在感光微桥结构的入射面的吸收效率，从而提高混合成像芯片的检测灵敏度。