[发明专利]一种改善逻辑外延产品局部平坦度的工艺在审
| 申请号： | 202210616997.8 | 申请日： | 2022-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN115094515A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 陆波;杨振域;郑岳亮;王瀚;王超 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B25/18;H01L21/205;C30B23/02;C30B23/06 |
| 代理公司： | 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 | 代理人： | 冷泠 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善逻辑外延产品局部平坦度的工艺，S1、降低外延生长过程中石墨基座的温度，从而抑制石墨基座与硅片接触位置的外延生长速率；S2、外延前对石墨基座进行包硅处理，降低接触位置的温场差异；将包硅的厚度增加至2‑3μm，能够进一步降低石墨基座的热传导系数，从而减小硅片与接触位置的温场差异。本发明通过减小硅片与基座接触位置的温场差异性，使得硅片整体生长更趋向均匀，工艺简单、重复性高，满足28nm和55nm外延产品的局部平坦度要求，可作为14nm产品优化的工艺基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 逻辑 外延 产品 局部 平坦 工艺 | ||
【主权项】：
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