[发明专利]图像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210613400.4 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114937675A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 董立群;肖海波;林率兵;戴辛志 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器及其制备方法。其中，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底包括像素区和逻辑区；形成栅极材料层，所述栅极材料层覆盖所述像素区和所述逻辑区的表面；形成图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层遮蔽所述逻辑区，并暴露出位于所述像素区的所述栅极材料层；执行离子注入工艺，以在暴露出的所述栅极材料层中掺杂吸附材料。可见，本发明通过向像素区的栅极材料层中掺杂吸附材料，以利用所述吸附材料的吸附性，来吸附所述像素区中的金属离子，从而缓解因金属离子的扩散造成白像素问题，提高了像素性能和成像质量。同时，所述离子注入工艺对逻辑区的电路结构没有影响，且无需新增掩模，工艺操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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