[发明专利]发光半导体器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202210584108.4 申请日: 2022-05-27
公开(公告)号: CN114695607A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 朱江;汤涛;张铭信;陈铭胜 申请(专利权)人: 江西兆驰半导体有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/20
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 何世磊
地址: 330096 江西省南昌市南*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供了一种发光半导体器件及其制作方法,所述制作方法通过在衬底基板的表面增设不同于衬底基板材质的凸起部,以使其能溶于不会刻蚀发光结构层的预制刻蚀液,采用预制刻蚀液刻蚀掉裸露凸起部以及容置于发光结构的侧方的凸起部,并冲刷掉附着在芯粒雏形边缘的烧焦物质,使得在增加发光结构的侧面出光面积的基础上,实现在去除划切附着在芯粒雏形边缘的烧焦物质时,无需使用会蚀刻发光结构的芯粒洗边溶液,从而达到在对芯粒雏形洗边时,避免发生蚀刻发光结构的情况,确保LED芯片的发光效率及质量良率。
搜索关键词: 发光 半导体器件 及其 制作方法
【主权项】:
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