[发明专利]半导体器件结构在审
| 申请号： | 202210583863.0 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114975322A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 沈竞宇;赵起越;周春华;杨超;高吴昊;石瑜;魏宝利 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 半导体器件结构包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一电极、第一通孔、穿孔。衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。第一氮化物半导体层设置在所述衬底的所述第一表面上。第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。第一电极设置在所述第二氮化物半导体层上，并接触所述第二氮化物半导体层。第一通孔从所述第一电极延伸，并依序穿过所述第二氮化物半导体层、所述第一氮化物半导体层至所述衬底的所述第二表面。穿孔从所述第一电极延伸，并设置在所述第一通孔的相对侧，使得所述第一电极位在所述第一通孔与所述穿孔之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
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