[发明专利]半导体器件结构

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

第一氮化物半导体层，设置在所述衬底的所述第一表面上；

第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；

第一电极，设置在所述第二氮化物半导体层上，并接触所述第二氮化物半导体层；

第一通孔，从所述第一电极延伸，并依序穿过所述第二氮化物半导体层、所述第一氮化物半导体层至所述衬底的所述第二表面；以及

穿孔，从所述第一电极延伸，并设置在所述第一通孔的相对侧，使得所述第一电极位在所述第一通孔与所述穿孔之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：

介电层，设置在所述第二氮化物半导体层上并覆盖所述第一电极，且所述穿孔位在所述介电层之中。

3.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：

第二通孔，穿透所述介电层。

4.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第二通孔的长度大于所述穿孔的长度。

5.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第二通孔还依序穿透所述第二氮化物半导体层、所述第一氮化物半导体层至所述衬底的所述第二表面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第一通孔的侧壁接触所述第二氮化物半导体层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第一通孔的侧壁还接触所述第一氮化物半导体层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：

导电层，连接所述穿孔，且所述穿孔位在所述第一电极与所述导电层之间。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：

端子，通过所述导电层以及所述穿孔电性连接到所述第一电极。

10.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：

一对端子，分别设置于所述第一电极的上方与下方，并电性连接到所述第一电极，且所述端子垂直对准所述第一电极、所述第一通孔以及所述穿孔。

11.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

第一HEMT装置和第二HEMT装置；

第一通孔，设置在所述第一HEMT装置的源极和所述第二HEMT装置的漏极之间，以使所述第一HEMT装置的所述源极电性连接所述第二HEMT装置的所述漏极，且所述第一通孔穿过所述第一HEMT装置的氮化物半导体层；以及

第一电极，设置于所述第一HEMT装置的所述源极相对所述第二HEMT装置的所述漏极之一侧，并电性连接所述第一HEMT装置的所述源极和所述第二HEMT装置的所述漏极，使得所述第一HEMT装置的所述源极和所述第二HEMT装置的所述漏极连接至同一节点。

12.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：

第二电极，电性连接至所述第一HEMT装置的栅极；以及

第三电极，电性连接至所述第一HEMT装置的漏极，其中所述第二电极与所述第三电极位在同一个电路板内且彼此分隔开，使得所述第一HEMT装置的所述栅极和所述漏极分别电性连接至不同的节点。

13.根据权利要求12所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第一电极、所述第二电极与所述第三电极位在同一个所述电路板内且彼此分隔开，使得所述第一HEMT装置的所述源极、所述栅极和所述漏极分别电性连接至不同的节点。