[发明专利]一种低温合成纳米碳化硅的方法在审

专利信息
申请号: 202210579171.9 申请日: 2022-05-25
公开(公告)号: CN114735704A 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 郑翠红;杨啸峰;杨明明;刘巍山;方道来;冒爱琴 申请(专利权)人: 安徽工业大学
主分类号: C01B32/977 分类号: C01B32/977;C01B32/984;C01B33/021;B82Y40/00
代理公司: 安徽顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 代理人: 徐文恭
地址: 243002 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明属于材料制备技术领域,具体涉及一种低温合成纳米碳化硅的方法,该方法主要包括:将洁净的稻壳在空气气氛中热处理,将热处理的产物与适量的NaCl、KCl和Mg粉混合,在惰性气氛中还原热处理,产物经酸洗、干燥,制得含微量氧和碳的纳米硅粉;将硅粉与镁粉、碳源混合,在惰性气氛、550~750℃热处理,热处理产物经酸浸泡、清洗、真空干燥,得到纯净的纳米碳化硅材料,产率达到96%以上。本发明以稻壳为主要原料,制得纳米碳化硅材料,实现农业废弃物的循环利用;同时,本发明的制备工艺简单,效率高,合成温度低,成本低廉,可直接用于工业化生产。
搜索关键词: 一种 低温 合成 纳米 碳化硅 方法
【主权项】:
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