[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片在审
| 申请号： | 202210570623.7 | 申请日： | 2022-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN114843385A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;罗桂兰;李艳;尤翠萍;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过在MQW层和电子阻挡层之间设有最后一个量子垒层，且所述最后一个量子垒层的势垒高度低于所述电子阻挡层的势垒高度，使在所述MQW层与所述电子阻挡层之间形成电子阻挡及空穴存储区，以避免电子与空穴在非MQW区域进行复合发光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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