[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片在审
| 申请号： | 202210570623.7 | 申请日： | 2022-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN114843385A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;罗桂兰;李艳;尤翠萍;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 芯片 | ||
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：
衬底，及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、MQW层、最后一个量子垒层、电子阻挡层以及P型半导体层；
其中，所述MQW层包括沿第一方向交替层叠的量子垒和量子阱，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述N型半导体层；
且所述最后一个量子垒层的势垒高度低于所述电子阻挡层的势垒高度，使在所述MQW层与所述电子阻挡层之间形成电子阻挡及空穴存储区。
2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；则，所述最后一个量子垒层包括AlxGayInzN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1。
3.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述最后一个量子垒层包括若干个AlxGayInzN复合膜层。
4.根据权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，在所述若干个AlxGayInzN复合膜层中，其靠近所述MQW层一侧的铝组分大于其靠近所述电子阻挡层一侧的铝组分。
5.根据权利要求3或4所述的LED外延结构，其特征在于，在所述若干个AlxGayInzN复合膜层中，其靠近所述电子阻挡层一侧为GaInN膜层。
6.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述最后一个量子垒层包括非掺杂的AlxGayInzN层。
7.根据权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，在所述若干个AlxGayInzN复合膜层中，在其靠近所述电子阻挡层的一侧包括P型掺杂的AlxGayInzN层。
8.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层包括AlaGabIncN层，其中，0≤a≤1，0≤b≤1，0≤c≤1，a+b+c＝1，且x≤a。
9.根据权利要求8所述的LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层包括交替堆叠的AlaGabIncN和AlxGayInzN的超晶格结构，其中，0≤a≤1，0≤b≤1，0≤c≤1，a+b+c＝1，且x≤a。
10.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面依次生长N型半导体层、MQW层、最后一个量子垒层、电子阻挡层以及P型半导体层；
其中，所述MQW层包括沿第一方向交替层叠的量子垒和量子阱，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述N型半导体层；
且所述最后一个量子垒层的势垒高度低于所述电子阻挡层的势垒高度，使在所述MQW层与所述电子阻挡层之间形成电子阻挡及空穴存储区。
11.根据权利要求10所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；则，所述最后一个量子垒层包括AlxGayInzN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司，未经厦门乾照光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210570623.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
