[发明专利]一种低位错INP单晶生长设备有效
| 申请号： | 202210559268.3 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114959902B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 袁韶阳;冯佳峰;于会永;赵春锋;赵中阳;刘钊;张艳辉;荆爱明 | 申请（专利权）人： | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/10;C30B15/30 |
| 代理公司： | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 | 代理人： | 孙淑荣 |
| 地址： | 163000 黑龙江省大庆市高新区火*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低位错INP单晶生长设备，包括炉体，炉体的内壁固定安装有隔热层，隔热层的内壁固定安装有加热装置，加热装置内壁的底部固定安装有炉底护盘，炉体的底端一体形成有底盘，底盘的内壁转动安装有降摩组件，降摩组件的内部活动安装有坩埚轴，坩埚轴的顶端可拆卸安装有石墨坩埚。本发明通过设置复合组件可以对石墨坩埚的内部的原材料进行缓冲效果，延长其使用寿命，以及对热熔后的原料进行防漏同时进行循环作用的效果，提升了石墨坩埚的实用性，最后通过整体效果组合，使得石墨坩埚整体的实用性与环保性均得到提升，还通过降摩组件最大程度的降低炉体的热量从底盘传递出，因此达到了降低磨损，延长使用寿命以及减伤能量损耗的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低位 inp 生长 设备 | ||
【主权项】：
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