[发明专利]一种新型碳化硅基超结沟槽型MOSFET及制备方法在审
| 申请号： | 202210555055.3 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN114927559A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 张峰;王小杰;张国良;付钊 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种新型碳化硅基超结沟槽型MOSFET及制备方法，涉及半导体SiC材料。MOSFETs在沟槽p型屏蔽层和p体区下方增加3个p+柱区和2个n+柱区，从而形成半超结结构。正向导通时，电流沿着n柱区自上而下流动，n柱区的存在增加电流路径中载流子的浓度，使器件具有更好的正向导通特性；反向阻断时，超结结构能够达到基本的电荷平衡形成耐压更高的类本征半导体，另外在局部区域，三角形电场转化为梯形电场。在相同的雪崩电场下相比于传统结构击穿电压更高。因此，这一结构缓解p型屏蔽层拐角处的电场拥挤效应，同时能增加通态电流和减小通态电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 碳化硅 基超结 沟槽 mosfet 制备 方法 | ||
【主权项】：
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