[发明专利]半导体级正辛烷的制备方法在审
| 申请号： | 202210547461.5 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114940642A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 董礼;万欣;徐涛;刘子伟;邓革革;吴浩;徐耀中 | 申请（专利权）人： | 江苏南大光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C07C7/00 | 分类号： | C07C7/00;C07C7/04;C07C7/12;C07C7/13;C07C9/15 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 王玉国 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了半导体级正辛烷的制备方法，先原料除水，通过P |
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| 搜索关键词： | 半导体 辛烷 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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