[发明专利]一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路有效
| 申请号： | 202210542544.5 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114744861B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 王明义;吴文韬;叶佳兴;张成明;李立毅 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;H02M1/38 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 于歌 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，涉及电力电子技术领域。本发明是为了解决SiCMOSFET对线路的寄生参数敏感，器件高速动作会引发串扰，进而不适用于传统的SiMOSFET驱动电路的问题。本发明所述的一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，在每个桥臂SiC MOSFET的栅源极之间均设有一组并联分压结构，所述并联分压结构包括电容C1、电阻R1和电阻R4，电容C1的一端、电阻R1的一端和电阻R4的一端均与SiC MOSFET的栅极相连，电容C1的另一端、电阻R1的另一端和电阻R4的另一端均与SiC MOSFET的源极相连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 抑制 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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