[发明专利]一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路有效

专利信息
申请号: 202210542544.5 申请日: 2022-05-18
公开(公告)号: CN114744861B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 王明义;吴文韬;叶佳兴;张成明;李立毅 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/38
代理公司: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 代理人: 于歌
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 sic mosfet 抑制 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路,其特征在于,在每个桥臂SiC MOSFET的栅源极之间均设有一组并联分压结构,所述并联分压结构包括电容C1、电阻R1和电阻R4,

电容C1的一端、电阻R1的一端和电阻R4的一端均与SiC MOSFET的栅极相连,电容C1的另一端、电阻R1的另一端和电阻R4的另一端均与SiC MOSFET的源极相连;

电容C1的两端并联有PNP三极管Q1,PNP三极管Q1的发射极连接电容C1的一端,PNP三极管Q1的集电极连接电容C1的另一端,PNP三极管Q1的基极连接SiC MOSFET的栅极;在每个桥臂SiC MOSFET的栅源极之间均并联有电容C2和电容C3,电容C2与SiC MOSFET的栅极之间串联有NPN三极管Q2,电容C3与SiC MOSFET的栅极之间串联有PNP三极管Q3;

SiC MOSFET的栅极分别连接NPN三极管Q2的发射极与基极、以及PNP三极管Q3的发射极与基极,NPN三极管Q2的集电极连接电容C2的一端,PNP三极管Q3的集电极连接电容C3的一端,电容C2的另一端和电容C3的另一端同时连接SiC MOSFET的源极;

PNP三极管Q3的发射极和基极之间串联有驱动电阻Rg;

NPN三极管Q2的集电极和电容C2的一端之间串联有快恢复二极管D2,

快恢复二极管D2的正极与电容C2的一端相连,快恢复二极管D2的负极与NPN三极管Q2的集电极相连;

电容C2的两端并联有电阻R2,电容C3的两端并联有电阻R3;

电容C1的两端并联有稳压二极管D1,

稳压二极管D1的正极与电容C1的一端相连,稳压二极管D1的负极与电容C1的另一端相连。

2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路,其特征在于,并联分压结构产生的最大放电电流在流经驱动电阻Rg产生的电压小于0.7V。

3.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路,其特征在于,驱动电阻Rg两端电压的最大值大于0.7V。

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