[发明专利]一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路

权利要求书

1.一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，其特征在于，在每个桥臂SiC MOSFET的栅源极之间均设有一组并联分压结构，所述并联分压结构包括电容C1、电阻R1和电阻R4，

电容C1的一端、电阻R1的一端和电阻R4的一端均与SiC MOSFET的栅极相连，电容C1的另一端、电阻R1的另一端和电阻R4的另一端均与SiC MOSFET的源极相连；

电容C1的两端并联有PNP三极管Q1，PNP三极管Q1的发射极连接电容C1的一端，PNP三极管Q1的集电极连接电容C1的另一端，PNP三极管Q1的基极连接SiC MOSFET的栅极；在每个桥臂SiC MOSFET的栅源极之间均并联有电容C2和电容C3，电容C2与SiC MOSFET的栅极之间串联有NPN三极管Q2，电容C3与SiC MOSFET的栅极之间串联有PNP三极管Q3；

SiC MOSFET的栅极分别连接NPN三极管Q2的发射极与基极、以及PNP三极管Q3的发射极与基极，NPN三极管Q2的集电极连接电容C2的一端，PNP三极管Q3的集电极连接电容C3的一端，电容C2的另一端和电容C3的另一端同时连接SiC MOSFET的源极；

PNP三极管Q3的发射极和基极之间串联有驱动电阻Rg；

NPN三极管Q2的集电极和电容C2的一端之间串联有快恢复二极管D2，

快恢复二极管D2的正极与电容C2的一端相连，快恢复二极管D2的负极与NPN三极管Q2的集电极相连；

电容C2的两端并联有电阻R2，电容C3的两端并联有电阻R3；

电容C1的两端并联有稳压二极管D1，

稳压二极管D1的正极与电容C1的一端相连，稳压二极管D1的负极与电容C1的另一端相连。

2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，其特征在于，并联分压结构产生的最大放电电流在流经驱动电阻Rg产生的电压小于0.7V。

3.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET串扰抑制驱动电路，其特征在于，驱动电阻Rg两端电压的最大值大于0.7V。