[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备在审
| 申请号： | 202210542097.3 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN116234305A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王祥升;王桂磊;戴瑾;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;张奎燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备，所述半导体器件结构包括：衬底；多个存储单元列，每个所述存储单元列均包括沿第一方向堆叠设置在所述衬底一侧的多个存储单元，所述多个存储单元列在所述衬底上沿第二方向和第三方向排列形成阵列；所述存储单元包括晶体管和电容器，晶体管和电容器的结构与说明书的定义相同；多条沿第一方向延伸的位线，沿第二方向上相邻的两个存储单元列的多个存储单元的晶体管的源极区均与一条共用的位线连接；多条沿第三方向延伸的字线。本申请实施例的半导体器件结构具有立体堆叠结构，可以增加半导体存储器的存储密度，从而减少单位Gb的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 及其 制造 方法 dram 电子设备 | ||
【主权项】：
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