[发明专利]一种氮化物半导体功率器件的芯片制造方法在审
| 申请号： | 202210539031.9 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN115346872A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 苗操 | 申请（专利权）人： | 智兴新能电子科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/15;H01L29/778 |
| 代理公司： | 石家庄隆康知识产权代理事务所(普通合伙) 13140 | 代理人： | 李建楠 |
| 地址： | 211899 江苏省南京市中国（江苏）自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物半导体功率器件的芯片制造方法，尤其是高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor,HEMT）耐压的芯片制造，氮化物半导体功率器件的外延结构，包括AlN成核层，成核层上的缓冲层，缓冲层上的GaN沟道层，以及沟道层上的AlGaN势垒层。在该外延材料的上方制作HEMT器件结构，包括源极，栅极，以及漏极。通过完全刻蚀掉对应HEMT器件的源极和漏极之间以及源极和漏极下方的硅衬底部分，阻断经由硅衬底的导电通道。采用沉积导热性良好的绝缘材料如AlN，并继续沉积高导热材料，提高芯片的导热性和机械强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体 功率 器件 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
