[发明专利]形成半导体装置的方法及半导体装置在审
| 申请号： | 202210534933.3 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN116936471A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李亮;王振裕;张宏光;刘晃;辛格·芬尼尔;杨衍 | 申请（专利权）人： | 芯合半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明具体公开了一种形成半导体装置的方法及半导体装置。该半导体装置包括在其基部共同具有掩埋氧化物层(BOX)的第一晶体管组和第二晶体管组，其中该第一晶体管组具有稀土氧化物。该方法包括以下步骤：在用于该第一晶体管组的第一区域和用于该第二晶体管组的第二区域内的BOX上形成鳍图案；依次在该鳍图案上形成绝缘层、在该绝缘层上形成稀土氧化物层、在该稀土氧化物层上形成第一覆盖层以及在该第一覆盖层上形成第一保护层；在该第一区域中设置第一遮罩；去除该第二区域中的该第一保护层、该第一覆盖层、该稀土氧化物层和该绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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