[发明专利]一体化芯片连接结构、连接方法及功率半导体模块有效
| 申请号： | 202210520685.7 | 申请日： | 2022-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN114628351B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王民;余辰将;雷光寅;舒军;黄利志;聂朝轩 | 申请（专利权）人： | 智新半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/16;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 敖俊 |
| 地址： | 430056 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一体化芯片连接结构、连接方法及功率半导体模块，涉及半导体技术领域。一体化芯片连接结构，包括：导电基材，包括第一连接端和第二连接端；阻焊层，设置在所述第一连接端，用于将所述第一连接端分隔为基材焊接区和基材非焊接区；第一焊料层，设置在所述第一连接端的基材焊接区；以及第二焊料层，设置在所述第二连接端。在进行芯片封装时，无需额外放置焊料，无需额外键合，省去了传统的铜线键合工艺，提高了封装效率，降低了工艺难度；通过阻焊层的作用，使回流焊接过程中，第一焊料层不会飞溅到晶体管芯片的栅极焊盘区，保护了栅极焊盘，提升工艺合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一体化 芯片 连接 结构 方法 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
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