[发明专利]一种超短脉冲半导体晶圆隐切装置在审
| 申请号： | 202210509251.7 | 申请日： | 2022-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN114939735A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 马小睿;袁帅;司璐;于涵;姚天军;邹晓旭;侯皓严;曾和平 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/082;B23K26/0622;B23K26/70;H01L21/304;H01L21/78;B23K101/40 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹;王晶 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超短脉冲半导体晶圆隐切装置，光源部设置在啁啾脉冲产生部之前，用于向啁啾脉冲产生部发出脉冲激光；所述啁啾脉冲产生部设置在光源部与色散调制部之间，用于将光源部的超短脉冲激光展宽，使展宽的脉冲激光产生的宽脉冲被色散调制部补偿；所述色散调制部通过聚焦部将聚焦点设置在半导体晶圆内部，使聚焦点处色散被完全补偿；所述晶圆切割平台设置在聚焦部下方，用于放置半导体晶圆，通过移动改变半导体晶圆的切割位置；所述轨迹观察与反馈部，用于观察焦点位置，反馈信号传输至色散调制部和聚焦部，用于调整焦点位置及大小。本发明能够稳定激光焦点的位置，减小由非线性效应带来的焦点浮动，提升激光切割的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超短 脉冲 半导体 晶圆隐切 装置 | ||
【主权项】：
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