[发明专利]包括EEPROM型非易失性存储器的集成电路以及对应制造方法在审
| 申请号： | 202210505013.9 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN115332260A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | F·塔耶;R·西莫拉;P·波伊文 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;G11C11/40;H01L27/11531;H01L27/11548 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及包括EEPROM型非易失性存储器的集成电路以及对应制造方法。电可擦除且可编程类型的非易失性存储器的集成电路包括存储器单元，每个存储器单元具有：状态晶体管，包括栅极结构，该栅极结构包括布置在半导体阱的面上的控制栅极和浮置栅极；以及在半导体阱中的源极区域和漏极区域。漏极区域包括被定位成绝大部分在栅极结构下方的第一电容注入区域和被定位成绝大部分在栅极结构外部的轻掺杂区域。源极区域包括被定位成绝大部分在栅极结构外部的第二电容注入区域，源极区域不包括轻掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 eeprom 非易失性存储器 集成电路 以及 对应 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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