[发明专利]半导体工艺腔室在审
| 申请号： | 202210492946.9 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN114792619A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 王松;陈星;赵晋荣;韦刚 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、设置在腔体中的卡盘和设置在腔体上方的上电极组件，上电极组件包括上射频电源、上匹配器和至少一个射频线圈，上射频电源用于通过上匹配器向射频线圈提供射频功率，以使射频线圈激发腔体中的气体产生等离子体，上电极组件还包括至少一个并联电容，射频线圈的第一端与上匹配器连接，射频线圈的第二端接地，并联电容连接在对应的射频线圈的第一端与第二端之间，并联电容与对应的射频线圈具有不低于射频电源的工作频率的固有谐振频率。在本发明中，并联电容与对应的射频线圈具有不低于工作频率的固有谐振频率，能够有效降低射频线圈上的欧姆损耗，提高上电极射频馈入效率，进而提升机台的稳定性及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
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