[发明专利]半导体器件结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210492122.1 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115020495A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李凯璇;林诗哲;黄柏瑜;吴仕杰;吴以雯;李振铭;杨复凯;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件结构包括形成在衬底上方的纳米结构。该结构还包括形成在纳米结构上方和周围的栅极结构。该结构还包括在纳米结构上方的栅极结构的侧壁上方形成的间隔件层。该结构还包括邻近间隔件层形成的源极/漏极外延结构。该结构还包括形成在源极/漏极外延结构上方的接触结构，以及形成在间隔件层和接触结构之间的空气间隔件。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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