[发明专利]半导体器件结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210492122.1 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115020495A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李凯璇;林诗哲;黄柏瑜;吴仕杰;吴以雯;李振铭;杨复凯;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件结构，包括：
纳米结构，形成在衬底上方；
栅极结构，形成在所述纳米结构上方和周围；
间隔件层，形成在所述纳米结构上方的所述栅极结构的侧壁上方；
源极/漏极外延结构，形成为邻近所述间隔件层；
接触结构，形成在所述源极/漏极外延结构上方；以及
空气间隔件，设置在所述间隔件层和所述接触结构之间。
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：
保护层，形成在所述接触结构的侧壁上方，
其中，所述空气间隔件设置在所述保护层和所述栅极结构之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：
密封衬垫层，沉积在所述栅极结构和所述接触结构上方，
其中，所述密封衬垫层沉积在所述空气间隔件上方。
4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述空气间隔件高于所述栅极结构。
5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述空气间隔件延伸至所述源极/漏极外延结构中。
6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述空气间隔件的顶面高于所述栅极结构的顶面，并且所述空气间隔件的底面低于所述栅极结构的底面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述空气间隔件的顶面低于所述接触结构的顶面。
8.一种半导体器件结构，包括：
鳍结构，形成在衬底上方；
纳米结构，形成在所述鳍结构上方；
栅极结构，包裹所述纳米结构；
间隔件层，形成在所述纳米结构之上的所述栅极结构的相对侧上方；
源极/漏极外延结构，形成在所述纳米结构的相对侧上方；
接触结构，形成在所述源极/漏极外延结构上方；
保护层，形成在所述接触结构的侧壁上方；以及
空气间隔件，设置在所述间隔件层和所述保护层之间。
9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，还包括：
密封衬垫层，覆盖所述栅极结构和所述接触结构，
其中，所述密封衬垫层和所述保护层由不同的材料制成。
10.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：
在衬底上方形成纳米结构；
在所述纳米结构周围和上方形成栅极结构；
在所述纳米结构上方的所述栅极结构的相对侧上方形成间隔件层；
在所述间隔件层的侧壁上方形成伪层；
在所述栅极结构旁边形成接触结构；
去除所述伪层以在所述间隔件层和所述接触结构之间形成空气间隔件；以及
在所述栅极结构、所述接触结构和所述空气间隔件上方沉积密封衬垫层。
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