[发明专利]一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器在审

专利信息
申请号: 202210483866.7 申请日: 2022-05-05
公开(公告)号: CN114858215A 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 焦斌斌;刘瑞文;云世昌;孔延梅;叶雨欣;杜向斌 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G01D21/02 分类号: G01D21/02;G01D5/12;G01D5/16;G01D5/24;H01C7/10
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 张子宽
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器,涉及传感器技术领域。该加工方法包括提供一个单晶硅晶圆,在单晶硅晶圆上形成深腔,在深腔所在的一侧表面形成第一绝缘层;提供一个SOI晶圆,在SOI晶圆的顶硅层形成四个压敏电阻条以用于形成压敏式压力传感器结构;使四个压敏电阻条和深腔对应,将SOI晶圆的顶硅层和单晶硅晶圆的第一绝缘层键合,深腔被封闭并处于预设压力值;将SOI晶圆的衬底层进行减薄,减薄后,在SOI晶圆衬底层的与压敏电阻条对应的区域进行深硅刻蚀和金属沉积图形化以形成与四个压敏电阻条电连接的第一引线接口;在SOI晶圆的第一区域获得梳齿结构和第一硅悬梁结构,第二区域获得第二硅悬梁结构。
搜索关键词: 一种 传感器 组合 结构 及其 加工 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210483866.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top