[发明专利]基于多层石墨烯/半导体的辐射探测器阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于多层石墨烯/半导体的辐射探测器阵列及其制备方法，辐射探测器阵列包括：多层石墨烯、多层石墨烯接触电极、半导体衬底、绝缘层、欧姆接触电极，其中多层石墨烯为宏观组装石墨烯纳米膜，多层石墨烯与半导体衬底形成异质结，当辐射粒子入射时，可以被多层石墨烯及半导体吸收，在内建电场中产生光生载流子；辐射探测器阵列由若干单像素直接型辐射探测器组成，每个单像素直接型辐射探测器上的电极组成二维面阵电极层；读出电路设置在面阵电极层上。本发明可与传统CMOS集成工艺相结合，并通过外部读出电路实现高灵敏度、低探测极限的阵列辐射探测器。