[发明专利]一种发光二极管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210462693.0 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114824007A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 谢志文;张铭信;陈铭胜 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供一种发光二极管外延结构及其制备方法，方法包括：在衬底上生长缓冲层、三维成核层、未掺杂的GaN层、N型复合AlGaN插入层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层、P型GaN层及P型接触层；或在衬底上生长缓冲层、三维成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、N型复合AlGaN插入层、InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层及P型GaN层；其中，N型复合AlGaN插入层包括依次交错层叠多个N型Al |
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| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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