[发明专利]一种提高MOCVD生长GaAs本征掺杂均匀性的方法在审
| 申请号： | 202210460401.X | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114753002A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 龚平;吴旗召;夏天文;杨宇博;刘邦 | 申请（专利权）人： | 西安唐晶量子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/08;C30B25/12;C30B25/14;C30B29/42;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高MOCVD生长GaAs本征掺杂均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在低Ⅴ/Ⅲ比情况下，用MOCVD生长的本征掺杂GaAs时，会对GaAs形成C掺杂，当外圈C掺杂浓度低于内圈时，通过增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔043载气流量，使得外圈的V族源浓度相对内圈降低，从而使得外圈的掺杂浓度相对内圈升高，提高内外圈掺杂均匀性。当外圈C掺杂浓度高于内圈时，通过减小流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔043的载气流量，使得外圈的V族源浓度相对内圈升高，从而使得外圈的掺杂浓度相对内圈降低，提高内外圈掺杂均匀性，通过本发明提供方法，可以解决MOCVD生长GaAs本征掺杂的内外圈掺杂不均匀问题，提升片内该膜层的掺杂均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 mocvd 生长 gaas 掺杂 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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