[发明专利]一种提高MOCVD生长GaAs本征掺杂均匀性的方法在审
| 申请号： | 202210460401.X | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114753002A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 龚平;吴旗召;夏天文;杨宇博;刘邦 | 申请（专利权）人： | 西安唐晶量子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/08;C30B25/12;C30B25/14;C30B29/42;C23C16/455;C23C16/458 |
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| 地址： | 710119 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 mocvd 生长 gaas 掺杂 均匀 方法 | ||
1.一种提高MOCVD生长GaAs本征掺杂均匀性的方法，其特征在于：提供一反应腔，反应腔内部存在平行且中心重合的第一圆形基板(02)和第二圆形基板(03)，第一圆形基板(02)的中心区域有一组圆柱状喷淋头，喷淋头由靠近所述的第一圆形基板(02)的第一进气孔(041)、靠近第二圆形基板(03)的第三进气孔(043)和第一进气孔(041)与第三进气孔(043)之间的第二进气孔(042)组成，在第二圆形基板(03)表面与喷淋头在第二圆形基板(03)表面的垂直投影区域无交叠的区域，装置有与第二圆形基板(03)位置相对固定的第三圆形基板(07)，将基片放在第三圆形基板(07)上，并通过对第三圆形基板(07)加热使得基片升温至生长温度，第二圆形基板(03)和第三圆形基板(07)分别绕各自中心自转，经由第一进气孔(041)通入载气，经由第二进气孔(042)通入载气及含有TMGa的气体，经由第三进气孔(043)通入载气及AsH3，AsH3与TMGa在基片表面水平流过，并在基片表面生成含有C杂质的GaAs薄膜，未反应的气体及反应副产物经由排气孔(05)排出，在经由第三进气孔(043)的AsH3摩尔流量与所述的经由第二进气孔(042)进入的TMGa摩尔流量的比值大于等于0.5且小于等于2的条件下，当外圈C掺杂浓度低于内圈时，增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔(043)载气流量，使得外圈的AsH3浓度相对内圈降低，从而使得外圈的C掺杂浓度相对内圈升高，调整内外圈掺杂均匀性。当外圈C掺杂浓度高于内圈时，通过减小流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔(043)的载气流量，使得外圈的AsH3浓度相对内圈升高，从而使得外圈的C掺杂浓度相对内圈降低，调整内外圈掺杂均匀性。
2.根据权利要求1所述的一种提高MOCVD生长GaAs本征掺杂均匀性的方法，其特征在于：所述的载气为氢气或者氮气。
3.根据权利要求1所述的一种提高MOCVD生长GaAs本征掺杂均匀性的方法，其特征在于：所述的生长温度为400℃-600℃。
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