[发明专利]一种SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法在审
| 申请号： | 202210459500.6 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN114843172A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 刘政红;邵华;陈昊瑜;黄冠群;齐瑞生 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L27/11568;H01L27/11573;G03F7/42;G03F7/09 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法，包括：提供待返工的晶圆，晶圆包括半导体基底、氧化层和氮化硅层及待剥离光刻胶层；采用干法工艺将大部分光刻胶层去除，再用湿法工艺将剩余的光刻胶层去除；二次形成光刻胶层，刻蚀去除选择栅区域以及外围逻辑区域的氮化硅层；采用湿法刻蚀工艺去除选择栅区域以及外围逻辑区域的氧化层，采用的化学溶液刻蚀量小于基准刻蚀量；去除二次形成的光刻胶层，进行预清洗，采用的化学溶液的清洗量大于基准清洗量；生长栅氧化层和阻挡氧化层。本发明通过调整湿法刻蚀工艺刻蚀量和栅氧化层预清洗量降低返工晶圆在湿法刻蚀过程中因化学溶液侧钻导致膜层损伤，保证可靠性。该返工工艺稳定可控，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sonos 存储器 ono 光刻 返工 工艺 集成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210459500.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
