[发明专利]一种SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法在审
| 申请号： | 202210459500.6 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN114843172A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 刘政红;邵华;陈昊瑜;黄冠群;齐瑞生 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L27/11568;H01L27/11573;G03F7/42;G03F7/09 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sonos 存储器 ono 光刻 返工 工艺 集成 方法 | ||
1.一种SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法，其特征在于，所述方法至少包括：
1)提供待光刻返工的晶圆，所述晶圆包括具有SONOS区域、选择栅区域以及外围逻辑区域的半导体基底、依次形成于所述半导体基底表面的氧化层和氮化硅层、以及位于所述SONOS区域的所述氮化硅层表面的待剥离光刻胶层；
2)采用干法灰化工艺将大部分所述光刻胶层去除，再采用湿法工艺将剩余的所述光刻胶层去除，最后用去离子水清洗去除残留的化学溶液；
3)二次形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖于所述SONOS区域的所述氮化硅层表面，刻蚀去除所述选择栅区域以及外围逻辑区域的所述氮化硅层；
4)采用湿法刻蚀工艺去除所述选择栅区域以及外围逻辑区域的所述氧化层，所述湿法刻蚀工艺采用的化学溶液的刻蚀量小于基准刻蚀量；
5)去除二次形成的所述光刻胶层，进行预清洗，所述预清洗采用的化学溶液的清洗量大于基准清洗量；
6)在所述选择栅区域以及外围逻辑区域生长栅氧化层，在所述SONOS区域的所述氮化硅层表面形成顶部阻挡氧化层。
2.根据权利要求1所述的SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法，其特征在于：步骤2)中，所述湿法工艺采用的化学溶液为硫酸。
3.根据权利要求1所述的SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法，其特征在于：步骤4)中，所述湿法刻蚀工艺采用的化学溶液为BOE。
4.根据权利要求1所述的SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法，其特征在于：步骤5)中，所述预清洗采用的化学溶液为HF。
5.根据权利要求1所述的SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法，其特征在于：在所述光刻胶层和所述SONOS区域的所述氮化硅层之间还形成有抗反射涂层。
6.根据权利要求1所述的SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法，其特征在于：步骤5)中所述清洗量与所述基准清洗量的差值等于步骤4)中所述基准刻蚀量与所述刻蚀量的差值。
7.根据权利要求1所述的SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法，其特征在于：步骤3)中，二次形成光刻胶层的步骤包括涂布和显影的步骤。
8.根据权利要求1所述的SONOS存储器ONO光刻返工工艺集成方法，其特征在于：步骤3)中，采用干法刻蚀去除所述选择栅区域以及外围逻辑区域的所述氮化硅层。
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