[发明专利]控片及其制造方法与应用在审
| 申请号： | 202210457809.1 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114883210A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 欧阳文森;王胜林 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王南杰 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种控片及其制造方法与应用。上述控片包括硅晶片、二氧化硅层、氮掺杂碳化硅层以及氮化硅层，由于炉管制程制作形成的氮化硅层的介质致密度高、化学性质稳定，能够耐受清洗设备中HF/HNO |
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| 搜索关键词： | 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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