[发明专利]控片及其制造方法与应用在审
| 申请号： | 202210457809.1 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114883210A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 欧阳文森;王胜林 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王南杰 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 及其 制造 方法 应用 | ||
1.一种控片，其特征在于，包括：
硅晶片；
二氧化硅层，通过热氧化工艺对所述硅晶片进行热氧化而形成；
氮掺杂碳化硅层，形成于所述二氧化硅层上；以及
氮化硅层，通过炉管制程在所述氮掺杂碳化硅层远离所述二氧化硅层的一侧上沉积氮化硅而形成。
2.如权利要求1所述的控片，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为
3.如权利要求1所述的控片，其特征在于，所述氮掺杂碳化硅层的厚度为
4.如权利要求1所述的控片，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为
5.如权利要求1～4中任一项所述的控片，其特征在于，所述控片经过退火处理。
6.一种控片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取硅晶片；
通过热氧化工艺对所述硅晶片进行热氧化形成二氧化硅层；
在所述二氧化硅层上形成氮掺杂碳化硅层；
通过炉管制程在所述氮掺杂碳化硅层远离所述二氧化硅层的一侧上沉积氮化硅，形成氮化硅层。
7.如权利要求6所述的控片的制造方法，其特征在于，在形成所述二氧化硅层之前，所述制造方法还包括以下步骤：
对所述硅晶片进行清洗处理。
8.如权利要求7所述的控片的制造方法，其特征在于，经过所述清洗处理，所述硅晶片表面存在的粒径在120nm以上的颗粒的数量在50个以下；和/或
所述清洗处理的步骤包括：
使用水对所述硅晶片进行涮洗。
9.如权利要求6～8中任一项所述的控片的制造方法，其特征在于，在形成所述氮化硅层之后，所述制造方法还包括以下步骤：
对所述控片进行退火处理。
10.如权利要求9所述的控片的制造方法，其特征在于，所述退火处理的步骤包括：
在管式热退火炉中，在700℃～800℃下通入5slm～6slm的O2和7slm～8slm的H2，反应15min～30min；
通入5slm～13slm的N2，温度升高至1050℃～1200℃，保温30min～50min后冷却。
11.如权利要求1～5中任一项所述的控片或者通过如权利要求6～10中任一项所述的制造方法制造得到的控片在使用HF/HNO3溶液作为清洗液的晶圆生产设备的验机过程中的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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