[发明专利]一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法在审
| 申请号： | 202210457276.7 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN114743926A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 胡兵;马亮;裴晓将;刘素绢 | 申请（专利权）人： | 胡兵 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;B32B43/00 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 杨媛 |
| 地址： | 美国德克萨斯州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法，包括以下步骤：提供离子注入的半导体衬底，离子注入通过半导体衬底上表面，离子注入深度位于上表面下0.1μm－100μm，离子注入在半导体衬底表面下产生一层离子损伤层；在离子注入的半导体衬底上表面制备功能层；在所述功能层上制作至少一层应力导入层，至少一层应力导入层中存在张应力，至少一层应力导入层在功能层中产生压应力；由此可将半导体衬底及其上的功能层在离子损伤层处进行分离。本发明直接在半导体衬底表面进行电子器件的制备，由于离子的注入深度决定了半导体衬底的厚度，本发明的半导体衬底具有与SOI薄膜相同的作用效果，且不需要键合工艺，减少了生产工艺，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 主体 与其 功能 进行 分离 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡兵，未经胡兵许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210457276.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电磁波和制冷美体塑形设备
- 下一篇：一种显示基板及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
