[发明专利]一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法

权利要求书

1.一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法，其特征在于：

提供离子注入的半导体衬底，离子注入通过半导体衬底上表面，离子注入深度位于上表面下0.1μm－100μm，离子注入在半导体衬底表面下产生一层离子损伤层；

在离子注入的半导体衬底上表面制备功能层；

在所述功能层上制作至少一层应力导入层，至少一层应力导入层中存在张应力，至少一层应力导入层在功能层中产生压应力；

由此能够将半导体衬底及其上的功能层在离子损伤层处进行分离。

2.一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法，其特征在于：

提供半导体衬底，已通过半导体衬底上表面离子注入，离子注入深度位于上表面下0.1μm－100μm，离子注入在半导体衬底表面下产生一层离子损伤层，并且半导体衬底上表面在离子注入后已制作功能层；

在所述功能层上制作至少一层应力导入层，至少一层应力导入层中存在张应力，至少一层应力导入层在功能层中产生压应力；

由此能够将半导体衬底及其上的功能层在离子损伤层处进行分离。

3.根据权利要求2所述的将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法，其特征在于：

在提供的半导体衬底功能层上进一步制作功能层。

4.一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法，其特征在于：

通过半导体衬底上表面离子注入，离子注入深度位于上表面下0.1μm–100μm，离子注入在半导体衬底表面下产生一层离子损伤层；

在离子注入的半导体衬底上表面制备功能层；

在所述功能层上制作至少一层应力导入层，至少一层应力导入层中存在张应力，至少一层应力导入层在功能层中产生压应力；

由此能够将半导体衬底及其上的功能层在离子损伤层处进行分离。

5.一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法，其特征在于：

提供半导体衬底，已通过半导体衬底上表面离子注入，离子注入深度位于上表面下0.1μm–100μm，离子注入在半导体衬底表面下产生一层离子损伤层，并且半导体衬底上表面在离子注入后已制作功能层；

由此能够将半导体衬底及其上的功能层通过施加至少一层应力层后在离子损伤层处进行分离，所施加的至少一层应力导入层中存在张应力，至少一层应力导入层在功能层中产生压应力。

6.一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法，其特征在于：

提供离子注入的半导体衬底，离子注入通过半导体衬底上表面，离子注入深度位于上表面下0.1μm－100μm，离子注入在半导体衬底表面下产生一层离子损伤层；

在离子注入的半导体衬底上表面制备功能层；

由此能够将半导体衬底及其上的功能层通过施加至少一层应力层后在离子损伤层处进行分离，所施加的至少一层应力导入层中存在张应力，至少一层应力导入层在功能层中产生压应力。

7.一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法，其特征在于：

提供半导体衬底，已通过半导体衬底上表面离子注入，离子注入深度位于上表面下0.1μm－100μm，离子注入在半导体衬底表面下产生一层离子损伤层，并且半导体衬底上表面在离子注入后已制作功能层；

在提供的半导体衬底功能层上进一步制作功能层；

由此能够将半导体衬底及其上的功能层通过施加至少一层应力层后在离子损伤层处进行分离，所施加的至少一层应力导入层中存在张应力，至少一层应力导入层在功能层中产生压应力。

8.根据权利要求1至7所述的将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括：半导体单晶片，或半导体单晶片以及在半导体单晶片上外延生长出的半导体外延层，或在氧化物单晶片上外延生长出的半导体外延层。