[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210443256.4 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN114823855A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 黃敬源;李启珍 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 519085 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 半导体器件包含半导体层、经掺杂氮化物半导体层、未经掺杂III‑V族半导体层、沟道层以及势垒层。半导体层具有向上延伸的位错。经掺杂氮化物半导体层设置于半导体层上。未经掺杂III‑V族半导体层设置于半导体层及经掺杂氮化物半导体层之间，未经掺杂III‑V族半导体层的晶格密度大于半导体层的晶格密度，未经掺杂III‑V族半导体层的晶格密度大于经掺杂氮化物半导体层的晶格密度，未经掺杂III‑V族半导体层接触半导体层以形成第一交界面，其中位错自半导体层延伸至第一交界面并进入未经掺杂III‑V族半导体层，位错在第一交界面处改变行径方向，其中行径方向在第一交界面处的改变角度至少为30度。沟道层设置于经掺杂氮化物半导体层上。势垒层设置于沟道层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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